米カリフォルニア州ミルピタス--()--(ビジネスワイヤ) -- グローバルファウンドリーズは本日、初開催のグローバル・テクノロジー・カンファレンスで、ARM®(LSE:ARM)(Nasdaq:ARMH)のデュアルプロセッサー「コーテックス(Cortex™)-A9」をベースにした評価用テストチップのテープアウト(設計完了)を発表しました。このテストチップは業界で初めて28nm高誘電率メタルゲート(HKMG)技術を利用しています。グローバルファウンドリーズはこの技術評価用テストチップ(TQV)により、次世代デュアルコアARMプロセッサーをベースにした顧客設計向けに28nm HKMGプロセスを最適化し、未来のコンピューティング機器を開発中のファウンドリー顧客に、市場への速やかな道筋を提供することができます。
「これは、スマートモバイル機器から高性能有線アプリケーションまで、広範な次世代製品を実現するための28nm大量生産と技術的リーダーシップを目指す過程での重要な一歩です。技術評価の初期段階からARMと緊密に連携し、顧客がARM物理IPを用いたARMコーテックス-A9ベースの設計を素早く生産段階に移行できるよう、性能と電力効率の新しい標準を打ち立てます。」
共同開発したTQVは、ドイツ・ドレスデンにあるグローバルファウンドリーズのファブ1で8月にテープアウト段階に達しましたが、これは当社が昨年発表したARMとの戦略的協力の一環です。シリコン検証の結果は2010年後半にファブから戻ってくる見通しです。
グローバルファウンドリーズ設計実現担当上席副社長のMojy Chianは、次のように述べています。「これは、スマートモバイル機器から高性能有線アプリケーションまで、広範な次世代製品を実現するための28nm大量生産と技術的リーダーシップを目指す過程での重要な一歩です。技術評価の初期段階からARMと緊密に連携し、顧客がARM物理IPを用いたARMコーテックス-A9ベースの設計を素早く生産段階に移行できるよう、性能と電力効率の新しい標準を打ち立てます。」
TQV設計では、完全に最適化されたARMコーテックス-A9の物理IP群を利用しています。これには、標準セルライブラリー、L1用の高速キャッシュメモリー・マクロ、その他のエリア用の密度最適化メモリーが含まれます。システム・オン・チップ(SoC)の実際の製品をあらゆる点でエミュレートするように設計されているため、最大周波数解析が可能で、設計サイクルを短縮することができます。包括的なテスト容易化設計(DFT)機能によりコーテックス-A9のクリティカルパスについてのSPICEシミュレーションが可能となり、キャッシュメモリーのビットマッピングもギガヘルツの速度で行うことができます。
ARM執行副社長兼物理IP部門ゼネラル・マネジャーのSimon Segars氏は、次のように述べています。「業界が高度なプロセス技術を導入するに伴い、設計部門と製造分野との緊密な協力がますます必要となっています。ARMの優れた物理IPソリューションとグローバルファウンドリーズの大量生産に関する経験の組み合わせは、革新を進めるための強力な基盤となります。両社の提携により、顧客は28nm HKMG技術を利用した高性能・低消費電力のARM技術をベースにした設計を市場に素早く投入することができます。」
TVQは高性能有線アプリケーションを対象にしたグローバルファウンドリーズの28nm高性能(HP)技術を基盤にしています。この提携では、有線および高性能のモバイル・アプリケーションのための28nmハイパフォーマンス・プラス(HPP)技術のほか、電力要件の厳しいモバイル・アプリケーションや消費者アプリケーションのためのスーパー・ローパワー(SLP)技術でも協力します。どの技術でも、HKMGに対してグローバルファウンドリーズの革新的なゲート・ファースト・アプローチを採っています。このアプローチはその他の28nm HKMGソリューションと比べてスケーラブル性と量産性の両方に優れ、ダイ・サイズとコストを大幅に抑えることができるほか、旧来技術ノードで利用していた実証済み設計エレメントやプロセスフローとの互換性もあります。
グローバルファウンドリーズとARMは、最先端のSoCプラットフォーム技術に関する詳細を、2009年第3四半期に初めて発表しました。両社は、この新しいチップ製造プラットフォームが40nm技術世代と比べてコンピューティング性能を40パーセント増加、消費電力を30パーセント削減、待機用電池の寿命を100パーセント増加できると見込んでいます。
GTC 2010について
グローバルファウンドリーズが初めて開催するグローバル・テクノロジー・カンファレンスでは、業界リーダーによる基調講演やグローバルファウンドリーズ主要経営陣と技術チームによるプレゼンテーションが行われ、グローバルファウンドリーズが顧客やパートナーとの世界的協力関係を活用して最先端の効率を達成している方法を特に取り上げます。GTC 2010は、米カリフォルニア州シリコンバレーの中心にあるサンタクララ・コンベンション・センターで9月1日(水)から始まり、その後GTC 2010「ロードショー」イベントを、中国、台湾、日本、欧州といった海外の戦略的会場で開催します。GTC 2010の詳細情報については、http://www.globalfoundries.com/gtc2010/をご覧ください。
グローバルファウンドリーズについて
グローバルファウンドリーズは、真に世界的な製造・技術拠点を有する世界初のフルサービス半導体ファウンドリーです。AMD(NYSE:AMD)とアドバンスト・テクノロジー・インベストメント・カンパニー(ATIC)との提携により2009年3月に設立されたグローバルファウンドリーズは、最先端技術、卓越した製造能力、世界的事業が特徴です。2010年1月のチャータードの統合によってグローバルファウンドリーズは製造容量と能力を拡張し、主力技術から最先端技術まで、クラス最高のファウンドリー・サービスを提供できるようになりました。グローバルファウンドリーズはシリコンバレーに本社を持ち、シンガポールとドイツに製造施設を有するとともに、米ニューヨーク州サラトガ郡に新しい最先端工場を建設中です。これらの拠点を支える研究開発、設計実現、カスタマー・サポートのグローバル・ネットワークが、シンガポール、中国、台湾、日本、米国、ドイツ、英国に存在します。グローバルファウンドリーズの詳細については、www.globalfoundries.comをご覧ください。
注意事項
このリリースには、1995年私募証券訴訟改革法の免責条項に準拠して作成された見通しに関する記述が含まれており、会社の現在の予想、前提、評価、期待、目的、計画、希望、信条、目的、または将来に関する戦略に関する記述も制限なく含まれています。したがって、見通しに関する記述にはリスクと不確実性があり、実際の結果が実質的に異なる可能性があります。これらのリスクと不確実性の一因として、米国および世界における経済状況、新規顧客開拓の難しさ、半導体/半導体製造業界全体における需要と供給の展望、見込み客ベースのソーシング戦略、競合他社の行動、企業の技術協力の成功、製造施設の増築の進捗状況と関連する行政手続き、部品と設備の可用性、製造施設における労使問題、技術と加工の進歩の経過、および想定外の事態などがあります。グローバルファウンドリーズは、新しい情報またはイベントに基づいて本リリースにおける見通しに関する記述を更新する義務を負いません。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

